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              MOSFET场效应管的基本知识


                        1.G栅极 D漏极 S源极 这图里面的MOS管是N沟道的,工作原理:只要G上的电压比S上的电压大5-6V,MOS管就开始导通,就有电流从S流向D.2.G接高低电平(确切说是驱动电压),D接电源(高电位),S接下面的负载或低电位。3.可以控制的开关电路*大电压是多少取决于MOSFET的*高耐压值,耐压值有多大,就能控制多大电压的电路。
                        2.功率MOSFET的工作原理截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面 当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。
               
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